Samsung prezentuje zHBM i 400-warstwowy V-NAND, rewolucjonizując przyszłość pamięci dla sztucznej inteligencji!
Na konferencji Future of Memory and Storage (FMS) 2026 firma Samsung Electronics postanowiła przypomnieć rynkowi, kto tu rządzi w produkcji półprzewodników. Podczas gdy konkurenci rywalizują w zwiększaniu pojemności istniejących rozwiązań, koreański gigant przedstawił cały zestaw koncepcji i prototypów, które mają zmienić architekturę systemów obliczeniowych dla sztucznej inteligencji. Główne gwiazdy programu to pamięć zHBM oraz niezwykle gęsty 400-warstwowy V-NAND.
Pionowy start zHBM
Najbardziej dyskutowaną nowością była architektura zHBM. Obecnie pamięć HBM (High Bandwidth Memory) umieszczana jest obok procesora graficznego lub akceleratora SI na wspólnej podstawie, natomiast Samsung proponuje bardziej radykalne podejście — umiejscowienie jej bezpośrednio nad chipem. Nie jest to po prostu „dwupiętrowa” konstrukcja, a próba maksymalnego skrócenia drogi sygnału.
Według inżynierów Samsung Semiconductor, taka konfiguracja pozwoli osiągnąć 8-krotny wzrost wydajności w porównaniu z przyszłym standardem HBM5. Oprócz prędkości obiecują 10-krotne zwiększenie gęstości oraz trzykrotnie lepszą efektywność energetyczną. Dodatkowym bonusem jest zmniejszenie oporu cieplnego o 50%, co jest krytyczne dla systemów, które zużywają setki watów. Niemniej jednak firma zastrzega, że są to jedynie teoretyczne kalkulacje koncepcji, a nie wyniki testów rzeczywistych urządzeń.
Walka o warstwy: V10 Bonding V-NAND
Kolejny istotny argument w sporze o przywództwo to prototyp V10 Bonding V-NAND, który liczy ponad 400 warstw. Aby osiągnąć taką liczbę, Samsung wykorzystał technologię Bonding Vertical (BV). Metoda polega na tym, że macierz komórek pamięci i logika sterująca są produkowane na oddzielnych płytach, a następnie „sklejane” w jedną strukturę.
Pozwoliło to zwiększyć gęstość przechowywania danych o 58% w porównaniu z aktualnym pokoleniem V9. Oprócz samej pojemności, takie podejście pozytywnie wpływa na prędkość odczytu i zapisu. Na targach Future of Memory and Storage wspomniano także o koncepcji zNAND-O, ukierunkowanej na peryferyjne systemy SI, gdzie ważne jest minimalne opóźnienie przy przetwarzaniu danych „na miejscu”.
Serwery SI i przyszłe standardy
Poza futurystycznymi koncepcjami, Samsung zaktualizował mapę drogową dla bardziej przyziemnych, ale krytycznie ważnych produktów. Przedstawiono korporacyjne SSD modeli PM1763 i BM1773, a także pamięć LPDDR5X-PIM (Processing-in-Memory), która potrafi wykonywać część obliczeń bezpośrednio w chipach pamięci, odciążając główny procesor.
Jednakże warto zachować zdrowy sceptycyzm. Firma nie podała ani terminów dostępności seryjnych urządzeń, ani ich ceny. Na razie jest to demonstracja technologicznych muskułów oraz wizji tego, jak będą wyglądały centra danych za kilka lat. Rzeczywista kompatybilność z akceleratorami od NVIDIA czy AMD pozostaje pod znakiem zapytania, dopóki prototypy nie przejdą niezależnych testów.
Podczas gdy Samsung pracuje nad sprzętem, giganty oprogramowania zmieniają podejścia do interfejsów. Na przykład, era OK Google dobiega końca, ponieważ Gemini staje się głównym narzędziem interakcji.