SK Hynix ogłosił kolejną generację pamięci UFS 4.1 i ZUFS 4.0

Południowokoreański producent półprzewodników SK Hynix zaprezentował nowe produkty pamięci masowej na szczycie FMS 2024. Firma zademonstrowała uniwersalną pamięć flash UFS 4.1 o pojemności 512 GB i 1 TB opartą na 321-warstwowej pamięci V9 1TB TLC NAND flash, a także nowy typ pamięci do ulepszonego przetwarzania AI - ZUFS 4.0.

Co wiadomo

Nowe chipy spełniają zapowiedziane specyfikacje, w tym szybkość transferu danych 2,4 Gb/s dla pamięci TLC. Zaprezentowano również nowe próbki QLC V9 o pojemności 2 TB, zapewniające przepustowość 3,2 Gb/s oraz szybkie TLC V9H o pojemności 1 TB i przepustowości 3,6 Gb/s.

Oczekuje się, że UFS 4.1 poprawi wydajność pamięci masowej w smartfonach i innych urządzeniach elektronicznych. Szczegółowe specyfikacje chipów UFS 4.1 nie zostały jeszcze ujawnione, ale oczekuje się, że zapewnią one transfer danych do 8 Gb/s, co stanowi dwukrotność możliwości UFS 4.0.

Firma zademonstrowała również dyski ZUFS 4.0 (Zoned Universal Flash Storage) o pojemności 512 GB i 1 TB. Jest to nowy typ pamięci flash NAND, który zwiększa szybkość systemu operacyjnego smartfona w porównaniu do standardowego UFS. Pamięć ta jest zoptymalizowana pod kątem zwiększonej wydajności aplikacji opartych na sztucznej inteligencji.

Oczekuje się, że nowe dyski UFS 4.1 pojawią się w smartfonach takich jak Galaxy S25 Ultra.

Źródło: SK Hynix